Gate length에 따른 LDMOS 전력 소자의 고온동작 특성연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.13-16
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수소 열처리를 이용한 고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2002 pp.63-64
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트렌티 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.8 No.7 1998 pp.634-640
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POCl$_{3}$ 도핑 및 비소 이온주입공정으로 제작한 높은 안정성을 갖는 다결정실리콘 저항소자 특성
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d35 No.7 1998 pp.56-62
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실리콘 트렌치 식각 특성에 미치는 $He-O_2,\; SiF_4$첨가 가스의 영향
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.6 No.4 1997 pp.364-371
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급속열질화에 의한 고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 특성개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d34 No.8 1997 pp.26-34
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.9 No.3 1996 pp.291-297
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고저항 실리콘 기판을 이용한 마이크로 웨이브 인덕터의 제작
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1996 pp.291-294
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직교배열표를 쓴 remote-PECVD 산화막형성의 공정최적화 및 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.8 No.2 1995 pp.171-175
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Taguchi 방법을 사용한 콘택 산호막 식각 공정 최적화 연구
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.5 No.1 1995 pp.63-74
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새로운 Pillar 제조 기법과 SOG etchback 평탄화 기법을 이용한 다층 배선기술
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1995 pp.45-46
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아르곤 스퍼터링 방법을 이용한 PECVD 실리콘 산화막의 특성 향상
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1995 pp.52-53
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화학.기계적 연마를 이용한 다층배선 공정에서의 절연막 평탄화
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 p.33
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다층 금속배선 공정의 via 접촉홀에서 수소 플라즈마 표면 처리에 의한 접촉면 잔유물 제거 효과
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1994 p.60
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금속 표면에 형성된 잔류막의 제거를 위한 RF sputter의 효과
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1993 pp.20-21
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[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.14 No.3 1992 pp.75-96
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