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Journal of semiconductor technology and science

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Vol.10 No.2 (9건)

The Pulsed I<SUB>d-V<SUB>g methodology and Its Application to the Electron Trapping Characterization of High-κ gate Dielectrics

Young, Chadwin D., Heh, Dawei, Choi, Ri-No, Lee, Byoung-Hun, Bersuker, Gennadi

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.79-99

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협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

Extraction of Exact Layer Thickness of Ultra-thin Gate Dielectrics in Nanoscaled CMOS under Strong Inversion

Dey, Munmun, Chattopadhyay, Sanatan

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.100-106

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A Subthreshold Swing Model for Symmetric Double-Gate (DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping

Tiwari, Pramod Kumar, Jit, S.

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.107-117

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A Low Vth SRAM Reducing Mismatch of Cell-Stability with an Elevated Cell Biasing Scheme

Yamauchi, Hiroyuki

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.118-129

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Effect of Counter-doping Thickness on Double-gate MOSFET Characteristics

George, James T., Joseph, Saji, Mathew, Vincent

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.130-133

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Comparative Study on the Structural Dependence of Logic Gate Delays in Double-Gate and Triple-Gate FinFETs

Kim, Kwan-Young, Jang, Jae-Man, Yun, Dae-Youn, Kim, Dong-Myong, Kim, Dae-Hwan

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.134-142

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Simulation and Modelling of the Write/Erase Kinetics and the Retention Time of Single Electron Memory at Room Temperature

Boubaker, Aimen, Sghaier, Nabil, Souifi, Abdelkader, Kalboussi, Adel

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.143-151

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A Semi-analytical Model for Depletion-mode N-type Nanowire Field-effect Transistor (NWFET) with Top-gate Structure

Yu, Yun-Seop

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.152-159

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Non-Quasi-Static RF Model for SOI FinFET and Its Verification

Kang, In-Man

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.2 2010 pp.160-164

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