간행물 정보
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- 제공처
- 한국과학기술정보연구원
- 발행기관
- 대한전자공학회
- 수록기간
- 2001 ~ 2018
- 주제분류
- 공학 > 전자/정보통신공학
Vol.2 No.3 (8건)
Aspects of Hard Breakdown Characteristics in a 2.2-nm-thick $SiO_2$ Film
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.164-169
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.170-172
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A Novel Sensing Circuit for 2T-2MTJ MRAM Applicable to High Speed Synchronous Operation
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.173-179
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MRAM Technology for High Density Memory Application
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.185-196
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Technology of MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) Using MTJ(Magnetic Tunnel Junction) Cell
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.197-204
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Device characterization and Fabrication Issues for Ferroelectric Gate Field Effect Transistor Device
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.213-225
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Virtual ground monitoring for high fault coverage of linear analog circuits
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.226-232
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Optimum Design of the Interdigitated CB Structure
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.2 No.3 2002 pp.233-236
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.