4H-SiC PiN 다이오드의 깊은 준위 결함에 따른 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.34 No.2 2024 pp.111-115
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고유전율 필드 플레이트를 적용한 β-Ga2O3 쇼트키 장벽 다이오드
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.3 2023 pp.298-302
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혼합 소스 HVPE 방법에 의한 4H-SiC 기판 위의 육각형 Si 에피층 성장
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.33 No.2 2023 pp.45-53
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이종접합 Gate 구조를 갖는 수평형 NiO/Ga2O3 FET의 전기적 특성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.4 2023 pp.413-417
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4H-SiC 기판 위에 RF Sputter로 증착된 NiO 박막의 후열처리 효과
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.2 2023 pp.170-174
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산소 후열처리에 따른 Ga2O3/SiC photodetector의 전기 광학적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.27 No.3 2023 pp.288-295
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