[Kisti 연계] 대한전기학회 전기의 세계 Vol.59 No.2 2010 pp.14-17
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일산화질소 후속 열처리 시간에 의한 4H-SiC MOSFETs 소자의 전기적 특성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.1 2025 pp.78-83
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4H-SiC VDMOSFETs의 JFET 영역의 도핑 농도 설계 및 최적화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.1 2025 pp.101-106
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에어로졸 증착법을 이용한 Ga2O3/4H-SiC 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.5 2025 pp.499-505
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에어로졸 증착법으로 제작된 자외선 광검출기의 다공성 SiC 박막 두께에 따른 성능 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.6 2025 pp.690-695
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2.4 kV 4H-SiC 평면형 MOSFET의 전기적 특성 향상을 위한 도핑 최적화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.6 2025 pp.672-676
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.38 No.6 2025 pp.696-703
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AlN/SiC 쇼트키 배리어 다이오드에서 Post-anode Annealing 처리에 따른 금속별 특성 변화 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.29 No.3 2025 pp.282-288
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후열처리 분위기에 따른 깊은 준위결함의 변화가 Ga2O3/SiC 이종접합 다이오드에 미치는 영향 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.28 No.1 2024 pp.104-109
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Si 증착 이후 형성된 게이트 산화막을 이용한 SiC MOSFET의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.28 No.1 2024 pp.46-52
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내열 세라믹 용기의 인덕션 가열을 위한 전자기 유도용 도전 소재의 제조 공정에 따른 특성 평가
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.37 No.6 2024 pp.668-674
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Vertical Variation Doping 구조를 도입한 1.2 kV 4H-SiC MOSFET 최적화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.37 No.3 2024 pp.332-336
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열전도층이 Ga2O3 Schottky Barrier Diodes에 미치는 방열 영향 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.37 No.6 2024 pp.657-661
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4H-SiC PiN 다이오드의 깊은 준위 결함에 따른 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.34 No.2 2024 pp.111-115
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SiC 기반 MPS 다이오드 P+ 영역 최적화: BFOM 향상과 Snap-Back 현상 완화를 위한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.37 No.6 2024 pp.675-679
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에어로졸 데포지션 방법으로 증착한 산화막 두께에 따른 갈륨옥사이드/실리콘 카바이드 다이오드의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.28 No.3 2024 pp.285-289
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리튬이차전지용 분리막 적용을 위한 α-알루미나 분말 제조 최적화 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.6 2023 pp.638-646
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혼합 소스 HVPE 방법에 의한 4H-SiC 기판 위의 육각형 Si 에피층 성장
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.33 No.2 2023 pp.45-53
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이종접합 Gate 구조를 갖는 수평형 NiO/Ga2O3 FET의 전기적 특성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.4 2023 pp.413-417
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