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4H-SiC 기판 위에 RF Sputter로 증착된 NiO 박막의 후열처리 효과

문수영, 김민영, 변동욱, 이건희, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.2 2023 pp.170-174

고유전율 필드 플레이트를 적용한 β-Ga₂O₃ 쇼트키 장벽 다이오드

박세림, 이태희, 김희철, 김민영, 문수영, 이희재, 변동욱, 이건희, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.3 2023 pp.298-302

4H-SiC PiN과 SBD 다이오드 Deep Level Trap 비교 분석

신명철, 변동욱, 이건희, 신훈규, 이남석, 김성준, 구상모

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.21 No.2 2022 pp.123-126

깊은 준위 결함에 의한 SiC SBD 전기적 특성에 대한 영향 분석

이건희, 변동욱, 신명철, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.26 No.1 2022 pp.50-55

4H-SiC 기반으로 제작된 MPS Diode의 Schottky 영역 비율에 따른 전기적 특성 분석

이형진, 강예환, 정승우, 이건희, 변동욱, 신명철, 양창헌, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.35 No.3 2022 pp.241-245

β-Ga₂O₃/4H-SiC MESFETs에서의 Self-Heating

김민영, 서현수, 서지우, 정승우, 이희재, 변동욱, 신명철, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.35 No.1 2022 pp.86-92

어닐링이 RF 스퍼터링으로 제작된 Ga₂O₃/Al₂O₃/SiC 소자에 미치는 영향 연구

이희재, 김민영, 문수영, 변동욱, 정승우, 구상모

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.21 No.2 2022 pp.85-89

전위 장벽에 따른 4H-SiC MPS 소자의 전기적 특성과 깊은 준위 결함

변동욱, 이형진, 이희재, 이건희, 신명철, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.26 No.2 2022 pp.306-312

4H-SiC SBD와 JBS 소자의 Deep Level Defect 비교 분석

변동욱, 신명철, 문정현, 방욱, 신원호, 오종민, 박철환, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.34 No.3 2021 pp.214-219

실리콘에 Local Anodic Oxidation으로 만든 산화물의 영향

정승우, 변동욱, 신명철, 구상모

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.34 No.4 2021 pp.242-245