[Kisti 연계] 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 Vol.38 No.9 2001 pp.782-786
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[Kisti 연계] 한국환경보건학회 한국환경보건학회지 Vol.39 No.4 2013 pp.369-375
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[Kisti 연계] 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society Vol.33 No.11 2012 pp.3576-3580
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무전해 도금법으로 제조된 Co(Re,P) capping layer제조 및 특성 평가
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.19 No.2 2009 pp.61-67
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호소퇴적물로부터 인 용출 저감을 위한 Capping 처리
[Kisti 연계] 대한환경공학회 대한환경공학회지 Vol.28 No.4 2006 pp.438-446
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($SiO_{2},\;Si_{3}N_{4}$의 Capping과 레이저결정화에 의한 저온 다결정 실리콘의 결정립 성장 제어)
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2005 p.131
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주석 나노 입자의 상온 환원 합성에서 PVP Capping Agent의 분자량에 따른 입도 변화
[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.18 No.4 2011 pp.27-32
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Shape Control of Platinum Nanoparticles by Using Different Capping Organic Materials
[Kisti 연계] 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society Vol.25 No.3 2004 pp.395-396
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리빙 양이온중합을 이용한 블록공중합체 합성 : Capping 및 Coupling/Living Coupling Reaction
[Kisti 연계] 한국고분자학회 고분자 과학과 기술 Vol.16 No.3 2005 pp.314-322
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An early transcription checkpoint ; A dual role of capping enzyme in RNA polymerase II transcription
[Kisti 연계] 한국응용약물학회 한국응용약물학회 학술대회논문집 2005 pp.5-14
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($p-Si_{0.83}Ge_{0.17}/Si(001)$기판위에 Si capping layer를 이용하여 형성시킨 nickel silicide의 전기적 및 구조적 특성)
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2004 p.172
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[Kisti 연계] 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society Vol.34 No.4 2013 pp.1181-1187
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FORMATION MECHANISM OF EPITAXIAL CoSi$_2$ IN EX-SITU Ti-CAPPING OME PROCESS
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1998 p.77
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[Kisti 연계] 대한치과보존학회 RDE : Restorative dentistry & endodontics Vol.43 No.4 2018 p.36
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Silicide Formation of Atomic Layer Deposition Co Using Ti and Ru Capping Layer
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.22 No.4 2012 pp.202-206
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Ni 캡의 전기도금 및 SnBi 솔더 Debonding을 이용한 웨이퍼 레벨 MEMS Capping 공정
[Kisti 연계] 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 Vol.16 No.4 2009 pp.23-28
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Atomic structural and morphological and evolution of InAs quantum dots within GaAs capping layer
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2007 p.239
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Formation of Nickel Silicide from Atomic Layer Deposited Ni film with Ti Capping layer
[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회논문집 2007 pp.193-198
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