고압 균질기를 이용하여 형성된 셀룰로오스 나노결정의 결정 구조 및 화학적 결합 특성 연구
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.34 No.3 2024 pp.79-85
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CFD를 이용한 테일러 반응기의 유동 특성에 관한 수치적 연구
[Kisti 연계] 대한기계학회 대한기계학회논문집B Vol.40 No.1 2016 pp.9-19
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SiGe 에피 공정기술을 이용하여 제작된 초 접합 금속-산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터의 시뮬레이션 연구
[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.13 No.3 2014 pp.45-50
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AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.17 No.1 2013 pp.71-76
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Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al<SUB>2O<SUB>3 패시베이션 효과
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.25 No.11 2012 pp.862-866
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ICP 표면 처리된 Si 기판 위에 성장된 Ge 층의 초기 성장 상태 연구
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.21 No.4 2011 pp.153-157
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.11 2009 pp.910-917
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SiGe/Si/SiGe Channel을 이용한 JFET의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.11 2009 pp.905-909
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Cr capping layer를 이용한 n-Ge(100) 기판에서의 Ti germanide 형성과 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.154
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ESD(electrostatic discharge)에 의한 SiGe P-MOSFET의 저주파 노이즈 특성 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.95
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Simulation of Junction Field Effect Transistor using SiGe-Si-SiGe Channel Structure
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.94
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Ti capping layer를 이용한 열적으로 안정한 NiGe 형성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.138
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Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.6 2007 pp.491-495
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.162-163
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Reliability Analysis of SiGe pMOSFETs Formed on PD-SOI
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 p.533
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Bottom 컬렉터와 단일 금속층 구조로 설계된 SiGe HBT의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.8 2007 pp.661-665
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 p.187
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.131-132
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$Si_{0.88}Ge_{0.12}$ 이종접합 구조의 채널을 이용한 n-MOSFET의 DC 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 pp.150-151
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