4H-SiC SBD와 JBS 소자의 Deep Level Defect 비교 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.34 No.3 2021 pp.214-219
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Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i-N Diodes Fabricated on SiC Semi-Insulating Substrate
[Kisti 연계] 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology Vol.13 No.1 2018 pp.387-392
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.17 No.2 2017 pp.265-270
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