패턴 사파이어 기판 위에 AlN 중간층을 이용한 GaN 에피성장
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.123
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저압 MOCVD 방법으로 성장시킨 Zn 도핑된 InP 에피층의 pphotoluminescence 특성분석
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1997 pp.52-53
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Oxygen이 주입된 $p^+$-InGaAs층에서의 compensation 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.6 No.4 1997 pp.343-347
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MOCVD 법을 이용한 InGaAs 에피층 성장중 Zn의 확산특성
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1996 p.123
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MOCVD법으로 성장시킨 InGaAs 내에서 Zinc의 확산특성
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.6 No.5 1996 pp.483-488
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