4H-SiC SBD와 JBS 소자의 Deep Level Defect 비교 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.34 No.3 2021 pp.214-219
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Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i-N Diodes Fabricated on SiC Semi-Insulating Substrate
[Kisti 연계] 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology Vol.13 No.1 2018 pp.387-392
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.17 No.2 2017 pp.265-270
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Impact of Interface Charges on the Transient Characteristics of 4H-SiC DMOSFETs
[Kisti 연계] 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology Vol.7 No.2 2012 pp.236-239
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KOH Etching을 통한 4H-SiC Epitaxy 박막에서의 전위결함 거동
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.10 2011 pp.779-783
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P형 우물 영역의 도핑 농도와 면적에 따른 4H-SiC 기반 DMOSFET 소자 구조의 최적화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.23 No.7 2010 pp.513-516
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N-epi 영역과 Channel 폭에 따른 4H-SiC 고전력 VJFET 설계
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2010 p.350
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이온주입 공정을 이용한 4H-SiC p-n Diode에 관한 시뮬레이션 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.2 2009 pp.128-131
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1200V급 SiC DMOSFET 제작을 위한 특성 Simulation
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 pp.99-100
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Atomic Force Microscopy을 이용한 4H-SiC의 Local Oxidation
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 pp.79-80
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Oxidized-SiN으로 형성된 4H-SiC MOS capacitor.의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 pp.45-46
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AFM fabrication of oxide patterns on 4H-SiC surface
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.64
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원자힘현미경을 이용한 탄화규소 미세 패터닝의 Scanning Kelvin Probe Microscopy 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.32
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800 V급 4H-SiC DMOSFET 전력 소자 구조 최적화 시뮬레이션
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.8 2009 pp.637-640
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AI 이온 주입된 p-type 4H-SiC에 형성된 Ni/AI 오믹접촉의 전기 전도 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.9 2009 pp.717-723
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.8 2009 pp.632-636
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Al 이온 주입된 p-type 4H-SiC에 형성된 Ni/Ti/Al Ohmic Contact의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.11 2008 pp.968-972
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600V급 SiC MOSFET 특성 Simulation
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.210-211
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변형막 식각 방법에 따른 탄화규소 쇼트키 다이오드의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.232-233
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Simulation study of ion-implanted 4H-SiC p-n diodes
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.131
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