간행물 정보
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- 제공처
- 한국과학기술정보연구원
- 발행기관
- 한국재료학회
- 수록기간
- 1995
- 주제분류
- 공학 > 재료공학
Vol.2 No.e4 (13건)
Fabrication of Diamond Films for Electronic Devices
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1065-1068
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
A TREND OF SOI WAFER TECHNOLOGY FOR THE NEXT GENERATION DEVICE APPLICATIONS
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1069-1075
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Zn(S, Se) EPITAXIAL LAYERS GROWN ON GaAs(100) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1077-1081
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GERMANIUM RELATED DEEP CENTERS IN AlGaAs EPITAXIAL LAYERS
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1083-1085
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B${F_2}^{+/}_{11}^+$MIXED ION IMPLANTATION FOR P+ SHALLOW JUNCTION FORMATION
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1087-1092
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Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1093-1098
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[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1099-1104
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CRYSTALLINITY OF GaN EPILAYERS ON GaN BUFFER GROWN BY MOCVD
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1105-1109
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OPTIMUM BUFFER STRUCTURE OF LOW-HIGH DOPED GaAs MESFET's GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1111-1115
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RECOMBINATION ENHANCED DEFECT REACOTIONS AND ROLE OF RED EMITTING LIGHT IN GaP LED'S DEGRADATION
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1117-1118
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[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1119-1124
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[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1125-1130
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PROPERTIES OF PHOSPHORUS-DOPED ${\mu}c-Si$ THIN FILMS BY PECVD
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1131-1136
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