[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.21 No.3 1999 pp.16-21
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트렌티 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.8 No.7 1998 pp.634-640
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HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.8 No.5 1998 pp.464-469
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Integration of 5-V CMOS and High-Voltage Devices for Display Driver Applications
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.20 No.1 1998 pp.37-45
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[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.19 No.4 1997 pp.402-413
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고저항 실리콘 기판을 이용한 마이크로 웨이브 인덕터의 제작
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1996 pp.291-294
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STABILITY OF SULFIDATION-TREATED GaAs SURFACE WTIH ${(NH_4)}_2S_X$ SOLUTION AFTER AIR-EXPOSURE
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e1 1995 pp.789-794
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Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy
[Kisti 연계] 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Vol.2 No.e4 1995 pp.1093-1098
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염소(Chlorine)가 도입된 $SiO_2/Si$ 계면을 가지는 게이트 산화막의 특성 분석
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.2 No.2 1993 pp.188-198
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[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.2 1991 pp.21-27
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C54구조의 $TiSi_2$와 As 이온 주입된 다결정 Si계에서 고온 열처리에 의한 표면상태 거칠어짐과 TiAs 침전물 형성에 관한 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 전자공학회논문지 Vol.27 No.11 1990 pp.55-61
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 전자공학회논문지 Vol.26 No.5 1989 pp.52-59
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