Sub-cycle controlled ALD IGO TFTs with submicron-channel length
한국정보통신설비학회 한국정보통신설비학회 학술대회 한국정보통신설비학회 2022 정보통신설비 하계학술대회 2022.08 p.106
Modeling and Simulation of Organic Field Effect Transistor (OFET) Using Artificial Neural Networks
보안공학연구지원센터(IJAST) International Journal of Advanced Science and Technology Vol.66 2014.05 pp.79-88
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.8 No.2 2008 pp.170-177
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Channel Length에 따른 NMOSFET 소자의 Hot Carrier 열화 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2013 p.240
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Effect of Channel Length in LDMOSFET on the Switching Characteristic of CMOS Inverter
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials Vol.8 No.1 2007 pp.21-25
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MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.39 No.10 2002 pp.1-8
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Extracting the Effective Channel Length of MOSFET by Capacitance - Voltage Method.
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.679-682
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Fabrication of 1-${\mu}m$ channel length OTFTs by microcontact printing
[Kisti 연계] 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회논문집 2009 pp.1118-1121
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Accuracy Analysis of Extraction Methods for Effective Channel Length in Deep-Submicron MOSFETs
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.11 No.2 2011 pp.130-133
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.15 No.6 2015 pp.653-657
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On the Selection of Burst Preamble Length for the Symbol Timing Estimate in the AWGN Channel
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.2059-2062
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자기정렬 DMOS 트랜지스터의 채널 길이와 채널 Punchthrough에 관한 고찰
[Kisti 연계] 대한전자공학회 전자공학회논문지 Vol.25 No.11 1988 pp.1286-1293
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채널 개수 및 길이에 따른 면광원 램프의 효율 비교에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.8 No.2 2009 pp.43-47
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유효 채널길이를 고려한 n형 단채널 MOSFET의 문턱전압 모형화
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T Vol.t36 No.2 1999 pp.8-13
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채널 길이의 변화에 따른 단일 게이트 피드백 전계효과 트랜지스터의 메모리 윈도우 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.21 No.3 2017 pp.284-287
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밴더블 a-Si:H 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 채널 길이의 영향
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.20 No.3 2016 pp.330-332
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자계 유도 고상결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 채널 길이와 드레인 전압에 따른 문턱 전압 변화
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2007 pp.1263-1264
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Si-기반 MOSFET의 채널 길이에 따른 영향의 조사
[Kisti 연계] 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회 학술대회논문집 2000 pp.480-484
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다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 성능에 대한 채널 길이의 영향
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1999 pp.450-453
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PMOSFET의 채널 길이에 따른 NBTI 스트레스와 CHC 스트레스의 신뢰성 특성 비교 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.27 No.7 2014 pp.438-442
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