Self-assembled nanowires for novel devices
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2002 p.35
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Effect of Post Annealing of Amorpphous SiC Thin Films using by PECVD
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1998 p.98
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분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.7 No.12 1997 pp.1041-1046
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d34 No.7 1997 pp.56-61
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The measurement of In composition in InGaAs/InAlAs/Inpp P-HEMT structure grown by MBE
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1996 pp.28-29
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Analysis of lattice-mismatchedd introducd defects in P-HEMT structures by DXRD
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1996 p.50
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MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.4 No.2 1995 pp.177-182
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MBE 에 의한 InGaAs/GaAs P-HEMT 성장과 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 pp.39-40
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$In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}Al_{0.48}As/InP$ HEMT 구조 에피택셜 층;성장 및 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 pp.41-42
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MBE에 의한 InGaAs/InAlAs/InP 격자정합 에피택셜층 성장연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 p.29
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.9 1994 pp.104-113
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이차이온질량분석의 정량화를 위한 $Al_xGa_{1-x}As$ 재료의 스퍼터링율 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1994 pp.114-115
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LSI급 소자 제작을 위한 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.7 1994 pp.76-84
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.9 1994 pp.114-120
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900MHz 대역 4.7 V 동작 전력소자 제작 및 특성
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.10 1994 pp.71-78
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$Al_{x}Ga-{1-x}As$ 조성 및 Si 도핑농도에 따른 PL특성 변화연구
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1994 p.99
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$Al_xGa_{l-x}As/AlAs/GaAs$계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조에서의 광 luminescsnce 특성 연구
[Kisti 연계] 한국광학회 한국광학회지 Vol.3 No.3 1992 pp.183-190
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절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.10-24
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