간행물 정보
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- 제공처
- 한국과학기술정보연구원
- 발행기관
- 대한전기학회
- 수록기간
- 1999 ~ 2006
- 주제분류
- 공학 > 전기공학
Vol.49 No.4 (8건)
자화 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.203-209
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.210-218
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
고온초전도 마이크로스트립 패치 안테나의 설계 및 특성 해석
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.219-225
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
교류전압에서 PD 패턴 및 유전체 장벽 방전에 미치는 공간전하의 영향
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.226-231
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.232-238
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전기접점용 이종금속 WCu-Cu 접합재의 마찰압점 특성
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.239-245
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
실리콘 전력 MOSFET의 온도에 따른 항복전압 및 On 저항
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.246-248
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
확률유한요소법을 이용한 초고주파 수동소자의 2차원 해석
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.4 2000 pp.249-257
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
