Analysis of Electrical Characteristics of AlGaN/GaN on Si Large SBD by Changing Structure
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.17 No.3 2017 pp.354-362
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Design of Parasitic Inductance Reduction in GaN Cascode FET for High-Efficiency Operation
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.38 No.1 2016 pp.133-140
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