보호용 실리콘 산화막을 이용하여 제조된 $Al_2O_3$ 예비층이 초박막 ${\gamma}-Al_2O_3$ 에피텍시의 성장에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국센서학회 Journal of sensor science and technology Vol.9 No.5 2000 pp.389-395
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
$Al_2O_3$ 절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.37 No.1 2000 pp.1-7
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$Al_2O_3$ 게이트 절연막을 이용한 공핍형 p-채널 GaAs MOSFET의 제조
[Kisti 연계] 한국센서학회 Journal of sensor science and technology Vol.8 No.5 1999 pp.421-426
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