MOCVD 를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 2005 p.234
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
플라즈마 기상 증착법에 의한 보론카바이드 박막의 RF 변화에 따른 효과
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 2005 p.230
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