[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2005 pp.130-131
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
2단계 실리사이드 형성방법에 의한 MOS 공정특성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2005 pp.195-196
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얇은 게이트 산화막 $30{\AA}$에 대한 박막특성 개선 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2004 pp.421-424
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2004 pp.207-209
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Queuing을 이용한 UDP 설계 알고리즘과 데이터그램 분석
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2004 pp.231-233
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새로운 티타늅 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0,1$\mu\textrm{m}$ ULSI급 소자의 특성연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.39 No.5 2002 pp.1-7
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티타늄샐리사이드 공정을 이용한 $0.1\mu\textrm{m}$ CMOSFET의 전기적 특성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.9-12
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STI를 이용한 서브 0.1$\mu\textrm{m}$VLSI CMOS 소자에서의 초박막게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.13 No.9 2000 pp.729-734
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새로운 $TiSi_2$ 형성방법과 STI를 이용한 초박막 게이트 산화막의 특성 개선 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2000 pp.41-44
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폴리사이드 구조에서 dual 게이트 산화막에 대한 공정특성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 1998 pp.473-476
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텅스텐 폴리사이드를 이용한 게이트 산화막의 절연특성 개선에 관한연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d34 No.6 1997 pp.43-49
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산화전 분위기가 Gate Oxide 특성에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1992 pp.84-85
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CSP-DH 구조 반도체 레이저의 캐리어 확산 방정식을 위한 모델링
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1988 pp.469-471
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