산화알루미늄 박막의 두께 및 열처리 온도에 따른 Al2O3/GaN MIS 구조의 전기적 특성 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.6 2009 pp.470-475
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원격 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 Al2O3/GaN MIS 구조의 제작 및 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.4 2009 pp.350-354
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Dip Coating 법에 의한 Al/$VF_2$-TrFE/Si(100) 구조의 제작 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.20-21
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산화알루미늄 박막을 이용한 GaN MIS 구조의 제작 및 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.4 2008 pp.329-334
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Spin Coating 법을 이용한 $VF_2$-TrFE/Si(100) 구조의 제작 및 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.115-116
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Remote Plasma ALD법으로 제작한 $Al_2O_3$/GaN MIS 커패시터의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.13-14
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