Single source CVD of epitaxial 3C-SiC on Si(111) without carbonization
[Kisti 연계] 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology Vol.1 No.1 1997 pp.38-44
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Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Thin Films Using the Single Precursor 1,3-Disilabutane
[Kisti 연계] 한국세라믹학회 The Korean journal of ceramics Vol.3 No.3 1997 pp.177-181
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USE OF SINGLE PRECURORS FOR THE PREP ARATION OF SILICON CARBIDE FILMS
[Kisti 연계] 한국표면공학회 한국표면공학회지 Vol.29 No.5 1996 pp.467-473
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OMCVD Growth of Boron Nitride Films from single Molecular Precursors
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1994 pp.141-143
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