NiO 게이트 산화막에 의한 AlGaN/GaN MOSHFET의 전기적 특성 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.3 2021 pp.511-516
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.33 No.1 2020 pp.16-20
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
저온에서 AlGaN/GaN HEMT의 전기적 특성 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.22 No.2 2018 pp.344-349
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.17 No.1 2013 pp.71-76
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.17 No.4 2013 pp.531-536
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
0개의 논문이 장바구니에 담겼습니다.
- 구매 불가 논문
-