MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.7 2006 pp.605-610
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Self-Assembled InAs Quantum Dots on InP(001) for Long-Wavelength Laser Applications
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.26 No.5 2004 pp.475-480
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