Atomic structure of $Si(5\;5\;12)-2{\times}1$
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2006 p.70
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Can the S-K growth mode be applied to the flat high-index Si surfaces? : Ge/Si(5 5 12)
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2005 p.35
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Self-assembled Sb nanowires formed on Si(5 5 12)-2${\times}$1
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2005 p.49
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Epitaxial growth of Ge on Si(114)-2${\times}$1
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2005 p.34
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STM studies of Bi-epitaxy on Si(1 1 4) -2xl
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2004 p.42
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Structure of Bi-induced Si(5 5 12) surface
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2003 p.173
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Si(5 5 12)에 존재하는 안정된 Si(6 9 17) Facet의 구조
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2002 p.166
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Interfacial disruption effect on multilayer-films/GaN : Comparative study of Pd/Ni and Ni/Pd films
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2000 p.113
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수정체적출술과 편도절제술에 대한 통원수술과 입원수술의 진료비 및 만족도 비교
[Kisti 연계] 한국병원경영학회 병원경영학회지 Vol.4 No.2 1999 pp.41-59
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Interfacial reaction and Fermi level movements of p-type GaN covered by thin Pd/Ni and Ni/Pd films
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1999 p.115
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Metal dependent Fermi-level movement in the metal/sulfur-passivate InGap contact
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1996 pp.79-80
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Reduction of Gap States of Ternary III-V Semiconductor Surface by Sulfur Passivation
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 pp.105-106
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Coadsorption of Na and $O_2$ Si(111) surface
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 p.92
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ARPES를 이용한 Na/Ge(111)-3$\times$1 표면의 전자구조 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1993 p.42
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Si(111)-7${\times}$7 표면의 초기산화 단계에서의 국부 일함수 변화
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.2 No.2 1993 pp.166-170
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[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.2 No.3 1993 pp.288-293
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Si(111)-7$\times$7 표면의 초기산화 단계에서의 국부 일함수 변화
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1993 pp.99-100
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