차세대 비 휘발성 메모리 적용을 위한 Staggered tunnel barrier ($Si_3N_4$/HfAlO) 에 대한 전기적 특성 평가
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.219
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AsGeSeS 박막의 광학적 조건에 따른 저항변화 특성에 대한 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.248
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Chalcogenide 기반 메모리 소자의 스위칭 특성 향상을 위한 광학패턴 형성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.185
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Chalcogenide 박막의 Ag층 두께 의존적 holographic 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.107
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$Ge_1Se_1Te_2$/As layer에 Ag 박막을 추가 삽입한 구조의 전기적 스위칭 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.156
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Amorphous chalcogenide 박막의 $Ag^+$ 의존적 회절효율 특성에 관한 연 구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2010 p.134
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Sb-doped Ag/Ge-Se-Te 박막의 상변화 특성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2010 p.347
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DPSS laser를 이용한 비정질 칼코게나이드 박막의 회절격자 형성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.246
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중앙 경부 수술의 과거력이 있는 환자에서의 방사능 유도 최소 침습 부갑상선 절제술의 유용성
[Kisti 연계] 대한두경부종양학회 대한 두경부 종양 학회지 Vol.25 No.2 2009 pp.138-142
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Programmable Metallization Cell 제작을 위한 Ag-doped Germanium Selenide의 고체전해질 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.5 2009 pp.382-385
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[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2009 pp.1262-1263
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Electrolyte Mechanizm Study of Amorphous Ge-Se Materials for Memory Application
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.69
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Interface Traps Analysis as Bonding of The Silicon/Nitrogen/Hydrogen in MONOS Capacitors
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.46 No.12 2009 pp.18-23
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Holographic Lithography 방법을 적용한 Chalcogenide-based ReRAM(Resistance RAM) 소자의 개발에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.12 2009 pp.1014-1017
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메모리 응용을 위한 비정질 Ge-Se 재료의 전해질 메카니즘 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 pp.67-68
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Ag 두께의 변화에 따른 chalcogenide layer의 회절효율 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.197
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Cu-doped Programmable Metallization Cell의 스위칭 특성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.57
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Sb-doping에 의한 Ge-Se-Te의 개선된 스위칭 특성
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2009 pp.1260-1261
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[Kisti 연계] 대한두경부종양학회 대한 두경부 종양 학회지 Vol.24 No.1 2008 pp.64-68
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