고성능 PMOSFET을 위한 Ni-silicide와 p+ Source/drain 사이의 Barrier Height 감소
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.6 2009 pp.457-461
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Thermal Stable Ni-silicide Utilizing Pd Stacked Layer for nano-scale CMOSFETs
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.10
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나노급 CMOSFET을 위한 니켈-코발트 합금을 이용한 니켈-실리사이드의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.1 2008 pp.18-22
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희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.1 2008 pp.29-34
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Ge-MOSFETs을 위한 Ni-Co 합금을 이용한 Ni-germanide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.8 2008 pp.733-737
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Reduction of Barrier Height between Ni-silicide and p+ source/drain for High Performance PMOSFET
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.157
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나노급 Ge-MOSFET를 위한 Ni-N(1%)을 이용한 Ni-germanide의 열 안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.17-18
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나노 CMOS 소자를 위한 SOI 기판에서의 Ni-Silicide 특성 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2007 p.126
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Strained silicon 두께에 따른 Ni-Germanosilicide 특성 관찰
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2007 p.129
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나노급 CMOSFET을 윈한 Ni-Co 합금을 이용한 Ni-silicide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.27-28
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합금 타겟을 사용한 SOI 기판에서의 Ni-Silicide 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2007 p.127
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나노급 CMOSFET을 위한 Boron Cluster(B18H22)가 이온 주입된(SOI 및 Bulk)기판에 Ni-V합금을 이용한 Ni-silicide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.6 2007 pp.487-490
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나노급 CMOSFET을 위한 SOI기판에 Doping된 B11을 이용한 Ni-Silicide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 pp.24-25
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 pp.3-4
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나노급 CMOSFET을 위한 SOI기판에 도핑된 B1l을 이용한 니켈-실리사이드의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.11 2006 pp.1000-1004
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SOI 기판에서 Silicide의 후속 공정 열처리 영향에 대한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 pp.3-4
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나노급 CMOSFET을 위한 SOI 기판에서의 Ni/Co 증착 두께에 따른 Nickel silicide 특성 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2005 pp.619-622
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