분자선 에피탁시법으로 성장된 $Al_{0.25}Ga_{0.75}As/In_{0.15}Ga_{0.85}As$/GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조의 광학적 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.9 No.2 2000 pp.130-135
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