[Kisti 연계] 한국터널지하공간학회 자연, 터널 그리고 지하공간 Vol.15 No.5 2013 pp.29-42
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[Kisti 연계] 한국안전학회 Journal of the Korean Society of Safety Vol.25 No.6 2010 pp.180-185
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프라이버시 보호를 위한 안전한 계산과 그 응용에 관한 고찰
[Kisti 연계] 한국정보보호학회 정보보호학회지 Vol.15 No.4 2005 pp.50-60
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실시간 내장 시스템 환경에서의 빠른 프로세스 복구 기법
[Kisti 연계] 한국정보과학회 한국정보과학회 학술대회논문집 2005 pp.817-819
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암호학 기반의 프라이버시 보존형 데이터 마이닝 기술에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국정보처리학회 한국정보처리학회 학술대회논문집 2005 pp.983-986
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보안운영체제 환경에서의 신뢰채널 지원을 위한 모듈의 설계 및 구현
[Kisti 연계] 한국정보보호학회 정보보호학회논문지 Vol.14 No.3 2004 pp.3-12
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보안운영체제 환경에서의 신뢰채널 지원을 위한 모듈의 설계 및 구현
[Kisti 연계] 한국정보보호학회 정보보호학회논문지 Vol.14 No.3 2004 pp.3-12
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유닉스 시스템에서 다양한 접근제어 정책을 이용한 커널 수준의 자동 암호화 기법
[Kisti 연계] 한국정보처리학회 정보처리학회논문지 C Vol.c10 No.4 2003 pp.387-396
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[Kisti 연계] 한국정보처리학회 한국정보처리학회 학술대회논문집 2002 pp.1015-1018
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[Kisti 연계] 한국정보처리학회 정보처리학회논문지 C Vol.c8 No.3 2001 pp.235-244
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저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 신뢰도 향상을 위한 Counter-doped Lateral Body Terminal (CLBT) 구조
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2001 pp.1442-1444
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[Kisti 연계] 한국정보처리학회 한국정보처리학회 학술대회논문집 2000 pp.801-804
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[Kisti 연계] 한국정보보호학회 정보보호학회지 Vol.10 No.1 2000 pp.21-37
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$SiO_{x}F_{y}$/a-Si 구조에 엑시머 레이저 조사에 의해 불소화된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성과 신뢰도 향상
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.48 No.9 1999 pp.623-627
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Buried Channel 4단자 Poly-Si TFTs 제작
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.48 No.12 1999 pp.761-767
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[Kisti 연계] 한국정보처리학회 정보처리학회논문지 Vol.6 No.10 1999 pp.2722-2727
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다양한 공정 방법으로 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 단위 CMOS 회로의 특성
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.48 No.5 1999 pp.339-343
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Buried Channel 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 설계 및 제작
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d35 No.12 1998 pp.53-58
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측면 기판 단자를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작과 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1998 pp.1462-1464
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이중 활성층(a-Si/a-SiNx)의 XeCl 엑시머 레이저 어닐링 효과
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d35 No.6 1998 pp.46-53
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