P-HEMT를 이용한 능동 안테나용 X-Band MMIC 저잡음 증폭기 설계 및 제작
[Kisti 연계] 한국전자파학회 The journal of Korea Electromagnetic Engineering Society Vol.9 No.4 1998 pp.506-514
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[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.11 No.4 1989 pp.98-104
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GaN E-HEMT에 대한 이해와 SiC MOSFET과의 성능비교
[Kisti 연계] 전력전자학회 전력전자학회지 Vol.23 No.3 2018 pp.66-71
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AlGaN/GaN HEMT 전력소자 시뮬레이션에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체디스플레이기술학회지 Vol.13 No.4 2014 pp.55-58
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AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.17 No.1 2013 pp.71-76
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AlGaN/GaN HEMT 의 DC 및 RF 특성 최적화
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.48 No.9 2011 pp.1-5
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AlGaN/GaN HEMT의 항복전압특성 향상을 위한 게이트 필드플레이트 구조 최적화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2010 p.337
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AlGaN/GaN HEMT의 분극 현상에 대한 3D 시뮬레이션
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.47 No.10 2010 pp.23-28
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AlGaN/GaN HEMT의 분극 현상에 대한 3D 시뮬레이션
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2009 p.143
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AlGaN/GaN HEMT의 트랩에 의한 DC 출력 특성 전산모사
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 p.76
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.131-132
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AlGaN/GaN HEMT의 기판에 따른 열특성 전산모사
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2007 p.315
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InGaAs Nano-HEMT Devices for Millimeter-wave MMICs
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.6 No.3 2006 pp.162-168
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.3 No.1 2003 pp.27-32
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.12 No.8 1999 pp.1-9
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MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.4 No.2 1995 pp.177-182
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.9 1994 pp.114-120
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Pt-AlGaN/GaN HEMT-based hydrogen gas sensors with and without SiNx post-passivation
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.23 No.3 2019 pp.1033-1037
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2.6 GHz GaN-HEMT Power Amplifier MMIC for LTE Small-Cell Applications
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.16 No.3 2016 pp.339-345
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