100nm 이하의 CMOS소자를 위한 Ni Silicide Technology
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.237-240
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Ar IBE에 의한 Si표면손상이 NiSi특성에 미치는 영향과 $H_2$ anneal 및 TiN capping에 의한 효과
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.245-248
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CMOS 소자를 위한 NiSi의 surface damage 의존성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.167-170
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100nm 이하 CMOS 소자의 Source/Drain dopant 종류에 따른 Nickel silicide의 특성분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.198-201
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CMOS소자를 위한 Ni Silicide의 Dopant에 따른 영향분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.241-244
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이온빔 에칭된 실리콘의 전기적 특성 및 표면 morphology
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.279-282
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