earticle

영어

This study is focused on the technical trends of high quality GaN-based Thin film epitaxial material and its application in national defense sector. Firstly, this paper reviews the recent status and challenges of GaN-based epitaxial materials according to its substrates. Due to the promising properties of GaN-based epitaxial material such as high energy bandgap, high breakdown voltage, high electron saturated velocity and good thermal conductivity, the GaN material thus has its potential for UV-light disinfection and high frequency application which can replace mercury lamp and vacuum tube transistor, respectively. Second, we studied the applicability of the national defense industrial fields using GaN-based devices. Recently, the utility and market of the GaN-based devices are growing rapidly in both national defense and civil demands. Especially, it is replacing state of the art defense parts that demand high reliability and performance. Thus, given its importance and timeliness, the research of high quality GaN-based epitaxial materials needs more interest and more research to be done in a multilateral fields such as UV-light, sensor, communications and radar.

한국어

본 논문은 고품질 GaN 기반 에피소재 기술현황과 국방분야 응용방안에 대한 연구이다. 먼저 기판에 따른 GaN 기반 에피소재의 현황과 기술적 도전과제들을 정리하고자 한다. 최 근 다양한 분야에서 주목받는 GaN 소재는 높은 에너지 밴드갭, 높은 절연 전압, 빠른 전자 포화속도 그리고 좋은 열전도성을 보유하고 있어 UV-light를 이용한 살균효과와 고주파 응 용등 다양한 분야에 적용가능하며 기존의 수은램프와 진공관 트랜지스터들을 빠르게 대체 해 나가고 있다. 둘째로 GaN 소재의 국방 분야 응용성을 고찰해보고자 한다. 최근 민수와 국방분야 모두 GaN 기반 소재를 이용한 다양한 소자들의 시장과 활용은 매우 빠르게 증가 하고 있는 추세이며, 높은 신뢰성과 성능을 요구하는 최첨단의 국방분야 부품들을 대체해 나가고 있다. 이에 따라 고품질 GaN 기반 에피소재 기술은 그 시의성과 중요성을 고려해 볼 때 UV-light, 센서, 통신, 레이더 등 다양한 분야에서 더욱 많은 관심과 연구가 필요할 것이다.