사파이어 기판을 사용한 AlGaN/GaN 고 전자이동도 트랜지스터의 정전기 방전 효과
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.54 No.3 2005 pp.109-113
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
이중 게이트 AIGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 누설 전류 메커니즘과 $Si0_2$ 패시베이션 효과 분석
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2006 pp.65-66
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
높은 항복 전압 특성을 가지는 이중 게이트 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.54 No.1 2005 pp.18-22
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
분자선 에피탁시법으로 성장된 $Al_{0.25}Ga_{0.75}As/In_{0.15}Ga_{0.85}As$/GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조의 광학적 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.9 No.2 2000 pp.130-135
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
0개의 논문이 장바구니에 담겼습니다.
- 구매 불가 논문
-