진공 게이트 스페이서를 지니는 Bulk FinFET의 단채널효과 억제를 위한 소자구조 최적화 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.35 No.6 2022 pp.576-580
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나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 Vol.10 No.3 2006 pp.479-485
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문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론과 단채널효과의 관계
[Kisti 연계] 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.7 2012 pp.1463-1469
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폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.691-694
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고온에서 제작된 n채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단채널 효과 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.5 2011 pp.359-363
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SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V특성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.8 1994 pp.34-45
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Evanescent-Mode를 이용한 MOSFET의 단채널 효과 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.40 No.10 2003 pp.24-31
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더블게이트MOSFET의 도핑농도에 따른 단채널 효과 분석 - 문턱전압을 중심으로
[Kisti 연계] 한국정보통신학회 한국정보통신학회 학술대회논문집 2012 pp.731-733
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Strained Silicon-on-Insulator (sSOI) 기판으로 제작된 Triple-gate MOSFETs의 단채널 효과와 이동도 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.92
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Electron Cyclotron Resonance $N_2$O-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 성능 향상 및 단채널 효과 억제
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D Vol.d35 No.12 1998 pp.68-74
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단채널 GaAs MESFET 및 SOI 구조의 Si JFET의 2차원 전계효과에 대한 해석적 모델에 대한 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.42 No.1 2005 pp.25-32
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채널 길이의 변화에 따른 단일 게이트 피드백 전계효과 트랜지스터의 메모리 윈도우 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.21 No.3 2017 pp.284-287
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