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고전압 MLCC 시험을 위한 에너지 회수 회로 제안

공소정, 권재현, 홍대영, 하민우, 이준영

[Kisti 연계] 전력전자학회 전력전자학회 논문지 Vol.27 No.3 2022 pp.214-220

콜라겐 트리펩타이드를 함유한 콜라겐 가수분해물의 피부 광노화 예방 효과

김애향, 하민우, 김준일, 박철, 신용철, 신대근

[Kisti 연계] 한국식품과학회 한국식품과학회지 Vol.51 No.5 2019 pp.466-472

하이브리드 슈퍼커패시터의 음극 및 양극 설계에 따른 전기화학적 거동

신승일, 이병관, 하민우, 안건형

[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회지 Vol.29 No.12 2019 pp.774-780

다이아몬드 반도체 연구동향

이지형, 하민우

[Kisti 연계] 대한전기학회 전기의 세계 Vol.67 No.6 2018 pp.32-38

콜라겐 트리펩타이드를 고함량으로 함유하는 콜라겐 가수분해물의 피부 보습 효과

김애향, 김이수, 박철, 신용철, 하민우

[Kisti 연계] 한국식품과학회 한국식품과학회지 Vol.50 No.4 2018 pp.420-429

필드 플레이트가 설계된 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드

장해녕, 강동원, 하민우

[Kisti 연계] 대한전기학회 電氣學會論文誌 Vol.66 No.4 2017 pp.659-665

차세대 전력 스위치용 1.5 kV급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우

[Kisti 연계] 대한전기학회 電氣學會論文誌 Vol.61 No.11 2012 pp.1646-1649

열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우, 노정현, 최홍구, 송홍주, 이준호, 김영실, 한민구, 한철구

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2011 pp.1418-1419

고전압 응용분야를 위한 GaN 쇼트키 다이오드의 산화 공정

하민우, 한민구, 한철구

[Kisti 연계] 대한전기학회 電氣學會論文誌 Vol.60 No.12 2011 pp.2265-2269

n-type GaN 위에 형성된 Ti/Al/Mo/Au 및 Ti/Al/Ni/Au 오믹 접합의 isolation 누설전류 분석

황대, 하민우, 노정현, 최홍구, 송홍주, 이준호, 박정호, 한철구

[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2011 pp.266-267

고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석

황대원, 하민우, 노정현, 박정호, 한철구

[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.48 No.2 2011 pp.14-19

KOH계열 수용액을 이용한 GaN 박막의 photo-assisted 식각 특성

이형진, 송홍주, 최홍구, 하민우, 노정현, 이준호, 박정호, 한철구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2010 p.339

16M-Color LTPS TFT-LCD 디스플레이 응용을 위한 1:12 MUX 기반의 1280-RGB $\times$ 800-Dot 드라이버

김차동, 한재열, 김용우, 송남진, 하민우, 이승훈

[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.46 No.1 2009 pp.98-106

600V Punch-through형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 Soft-shutdown을 위해 시간 지연 회로를 적용한 새로운 보호회로

임지용, 지인환, 하민우, 최영환, 최연익, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2006 pp.1299-1300

이중 게이트 AIGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 누설 전류 메커니즘과 $Si0_2$ 패시베이션 효과 분석

임지용, 하민우, 최영환, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2006 pp.65-66

높은 항복 전압 특성을 가지는 이중 게이트 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터

하민우, 이승철, 허진철, 서광석, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.54 No.1 2005 pp.18-22

트렌치 구조를 이용한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

최영환, 하민우, 이승철, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2005 pp.2004-2006

사파이어 기판을 사용한 AlGaN/GaN 고 전자이동도 트랜지스터의 정전기 방전 효과

하민우, 이승철, 한민구, 최영환

[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.54 No.3 2005 pp.109-113

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해, AlGaN/GaN heterostructure 웨이퍼 위에 제작한 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 억제

임지용, 이승철, 하민우, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2005 pp.3-5

얕은 트렌치와 전계 제한 확산 링을 이용한 접합 마감 설계의 1200 V급 소자에 적용

하민우, 오재근, 최연익, 한민구

[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.53 No.6 2004 pp.300-304