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쵸크랄스키법 실리콘 성장로에서 핫존 온도분포 경향에 대한 히터와 석영도가니의 상대적 위치의 영향

김광훈, 권세진, 김일환, 박준성, 심태헌, 박재근

[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.28 No.5 2018 pp.179-184

Impact of strained channel on the memory margin of Cap-less memory cell

이충현, 김성제, 김태현, 오정미, 최기령, 심태헌, 박재근

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.153

Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성

심태헌, 박재근

[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.42 No.9 2005 pp.9-18

Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향

백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근

[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.41 No.10 2004 pp.1-7

초고속 구동을 위한 Ultra-thin Strained SGOI n-MOS 트랜지스터 제작

맹성렬, 조원주, 오지훈, 임기주, 장문규, 박재근, 심태헌, 박경완, 이성재

[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.1065-1068

Characterization of nano-scale strained silicon-on-insulator substrates by multi-wavelength high resolution micro-raman and optical reflectance

심태헌, 이두영, 김태현, 박재근

[NRF 연계] 한양대학교 세라믹연구소 Journal of Ceramic Processing Research Vol.15 No.1 2014.02 pp.53-56

Electrical behavior of ultra-thin body silicon-on-insulator n-MOSFETs at a high operating temperature

Seong-Je Kim, 심태헌, 박재근

[NRF 연계] 한양대학교 세라믹연구소 Journal of Ceramic Processing Research Vol.10 No.4 2009.08 pp.507-511

Comparison of phonon-limited electron mobility in strained Si grown on silicon on insulator (sSOI) and SiGe on insulator (SGOI)

심태헌, 박재근

[NRF 연계] 한양대학교 세라믹연구소 Journal of Ceramic Processing Research Vol.6 No.4 2005.12 pp.332-337

Effect of nano-scale strained Si layer grown on SiGe-on-insulator structure on MOSFET drain current improvement

이곤섭, 심태헌, 박재근

[NRF 연계] 한양대학교 세라믹연구소 Journal of Ceramic Processing Research Vol.5 No.3 2004.09 pp.247-250