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1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.31 No.4 2018 pp.208-211

전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga₂O₃ 에피성장에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.22 No.2 2018 pp.427-431

스마트 파워 IC용 LIGBT의 기술과 동향

강이구

[Kisti 연계] 전력전자학회 전력전자학회지 Vol.9 No.6 2004 pp.22-26

1200V급 SiC 기반 트렌치 게이트 MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

김유림, 이동현, 김민서, 최진우, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.27 No.1 2023 pp.103-108

1,700 V급 SiC 기반의 단일 및 이중 트렌치 게이트 전력 MOSFET의 최적 설계 및 전기적 특성 분석

유지연, 김동현, 이동현, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.4 2023 pp.385-390

분리된 게이트 구조를 갖는 필드 스톱 IGBT의 전기적 특성에 관한 연구

조형성, 이장현, 리긍연, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.36 No.6 2023 pp.609-613

Super Junction IGBT 필러 내부 Trench SiO₂성장에 따른 전기적 특성에 관한 연구

이건희, 안병섭, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.2 2021 pp.344-349

Deep-Trench 기술을 적용한 Super Junction MOSFET의 Charge Balance 특성에 관한 연구

최종문, 허윤영, 정헌석, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.2 2021 pp.356-361

1,200V 급 Trench Gate Field stop IGBT 공정변수에 따른 스위칭 특성 연구

조창현, 김대희, 안병섭, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.2 2021 pp.350-355

4.5 kV급 Super Junction IGBT의 Pillar 간격에 따른 전기적 특성 분석

이건희, 안병섭, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.33 No.3 2020 pp.173-176

1,200 V급 Trench Si IGBT의 설계 및 전기적인 특성 분석

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.33 No.2 2020 pp.105-108

1,200 V Reverse Conducting IGBT의 전기적 특성 분석

김세영, 안병섭, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.33 No.3 2020 pp.177-180

Trench Gate 하단 P-영역을 갖는 IGBT의 전기적 특성에 관한 연구

안병섭, 육진경, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.32 No.5 2019 pp.361-365

600 V급 IGBT Single N+ Emitter Trench Gate 구조에 따른 전기적 특성

신명철, 육진경, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.32 No.5 2019 pp.366-370

IGBT 구조의 JFET영역 변화에 따른 온-상태 전압강하 특성 향상을 위한 연구

안병섭, 강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.22 No.2 2018 pp.339-343

3.3 kV 이상의 전력반도체 소자 구현 및 신뢰성 향상을 위한 필드링 최적 설계에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.3 2017 pp.148-151

차폐형 게이트 구조를 갖는 전력 MOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.2 2017 pp.63-66

고전압 Non Punch Through IGBT 및 Field Stop IGBT 최적화 설계에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.4 2017 pp.214-217

설계 및 공정 파라미터에 따른 3.3 kV급 Super Junction FS-IGBT에 관한 연구

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.4 2017 pp.210-213

전기자동차용 이중 게이트 구조를 갖는 전력 IGBT소자의 전기적인 특성 분석

강이구

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.21 No.1 2017 pp.1-6