Growth of epitaxial Al2O3 films on silicon by ionized beam deposition
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2001 p.148
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THE EFFECT OF $CH_4:N_2$ GAS PRESSURE ON a-C:H(N) FILM GROWN BY DC SADDLE FIELD PECVD
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1998 p.112
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HETEROEPITAXIAL GROWTH OF HIGH QUALITY $Y_2O_3$ FILM ON AMORPHOUS $SiO_2$ LAYER
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 1998 p.146
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Substrate tempperature dependence of crystalline Y2O3 films grown by Ionized Cluster Beam Deposition
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1998 pp.87-89
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Initial Growth Stage of $Y_2O_3$
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1997 p.158
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CHARACTERISTICS OF HETEROEPITAXIALLY GROWN $Y_2$O$_3$ FILMS BY r-ICB FOR VLSI
[Kisti 연계] 한국표면공학회 한국표면공학회지 Vol.29 No.6 1996 pp.809-815
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