n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.31 No.3 2018 pp.141-145
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.18 No.3 2018 pp.301-306
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Terbium 중간층 적용을 통한 Ni Germanide/P-type Ge의 비접촉저항 감소 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.31 No.1 2018 pp.6-10
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.17 No.2 2017 pp.283-287
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A Study on Thermal Stability Improvement in Ni Germanide/p-Ge using Co interlayer for Ge MOSFETs
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.17 No.2 2017 pp.277-282
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