수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.31 No.3 2018 pp.135-140
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.3 2016 pp.147-151
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Optimization of Reverse Engineering Processes for Cu Interconnected Devices
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials Vol.14 No.6 2013 pp.304-307
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Measurement of Interface Trapped Charge Densities $(D_{it})$ in 6H-SiC MOS Capacitors
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2004 pp.343-347
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