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고전압용 LDI 칩의 정전기 보호를 위한 EDNMOS 소자의 특성 개선 KCI 등재후보

양준원, 서용진

한국위성정보통신학회 한국위성정보통신학회논문지 제7권 제2호 2012.09 pp.18-24

MeV 이온주입에 의한 매입층을 갖는 BILLI retrograde well과 latchup 특성

김종관, 김인수, 김영호, 신상우, 성영권

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1997 pp.1270-1273

CMOS Well의 Ion Implantation 공정조건에 따른 Latchup 면역성 모의실험

김종관, 이진우, 김영훈, 김태훈, 성영권

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1996 pp.1553-1555

CMOS 소자에서 과도방사선펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험

이현진, 이남호, 황영관

[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2008 pp.1185-1186

고준위 펄스방사선에 의한 전자소자 Latchup의 발생시험 및 분석

이남호, 황영관, 정상훈, 김종열

[Kisti 연계] 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.12 2014 pp.3079-3084

Design of a Latchup-Free ESD Power Clamp for Smart Power ICs

Park, Jae-Young, Kim, Dong-Jun, Park, Sang-Gyu

[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.8 No.3 2008 pp.227-231

SRAM소자의 SER 및 Latchup 신뢰성 연구

이준하, 이흥주, 조현찬, 이강환, 권오근

[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회논문집 2005 pp.63-66

정전기 보호를 위한 n형 SCR 소자의 래치업 특성

서용진, 김길호, 이우선

[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 2006 pp.1372-1373