Optimization of InAlAs/InGaAs HEMT Performance for Microwave Frequency Applications and Reliability
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.4 No.3 2004 pp.240-249
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.6 No.3 2006 pp.189-198
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.7 No.2 2007 pp.120-131
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.1 2010 pp.66-77
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.4 2013 pp.331-341
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.3 2013 pp.224-236
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.6 2013 pp.622-634
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.2 2013 pp.127-138
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Analytical Model of Double Gate MOSFET for High Sensitivity Low Power Photosensor
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.5 2013 pp.500-510
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Quantum Modeling of Nanoscale Symmetric Double-Gate InAlAs/InGaAs/InP HEMT
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.13 No.4 2013 pp.342-354
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.12 No.4 2012 pp.377-387
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.12 No.4 2012 pp.458-466
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Assessment of Ambipolar Behavior of a Tunnel FET and Influence of Structural Modifications
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.12 No.4 2012 pp.482-491
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Linearity-Distortion Analysis of GME-TRC MOSFET for High Performance and Wireless Applications
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.11 No.3 2011 pp.169-181
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.7 No.4 2007 pp.287-298
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.5 No.3 2005 pp.159-167
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Optimization of Gate Stack MOSFETs with Quantization Effects
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.4 No.3 2004 pp.228-239
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