Influence of High-k Gate Dielectric on Nanoscale DG-MOSFET
보안공학연구지원센터(IJAST) International Journal of Advanced Science and Technology Vol.65 2014.04 pp.19-26
※ 원문제공기관과의 협약기간이 종료되어 열람이 제한될 수 있습니다.
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.12 No.4 2012 pp.458-466
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
gate stack구조를 이용한 LTPS TFT의 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2009 p.59
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
multi-stack gate dielectric 구조를 통한 LTPS TFT 특성
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.200
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Optimization of Gate Stack MOSFETs with Quantization Effects
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.4 No.3 2004 pp.228-239
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
CMOS SCALING AND GATE STACK TECHNOLOGY PROGRESS
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 2008 p.3
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Review of alternative gate stack technology research during the last decade
[Kisti 연계] 한국세라믹학회 세라미스트 Vol.9 No.4 2006 pp.58-71
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Phase stability and Morphology of high-k gate stack of $Si/SiO_2/HfO_2$ and $Si/SiO_2/ZrO_2$
[Kisti 연계] 한국표면공학회 한국표면공학회 학술대회논문집 2007 pp.118-119
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
[Kisti 연계] 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 Vol.41 No.9 2004 pp.637-641
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
중성빔 식각과 중성빔 원자층 식각기술을 이용한 TiN/HfO2 layer gate stack structure의 저 손상 식각공정 개발
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2010 p.406
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Selective etching of Mo/$HfO_2$ in inductively coupled $Cl_2/O_2$ plasmas for gate stack patterning
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2008 p.209
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
EPD time delay in etching of stack down WSix gate in DPS+ poly chamber
[Kisti 연계] 한국반도체및디스플레이장비학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회논문집 2002 pp.130-136
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Turn-on Loss Reduction for High Voltage Power Stack Using Active Gate Driving Method
[Kisti 연계] 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology Vol.12 No.2 2017 pp.632-642
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate 구조에서 H-termination효과 및 전기적 특성의 관찰
[Kisti 연계] 한국재료학회 한국재료학회 학술대회논문집 2003 p.58
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
0개의 논문이 장바구니에 담겼습니다.
- 구매 불가 논문
-