[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a33 No.12 1996 pp.65-71
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경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1996 pp.1606-1608
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[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1996 pp.1612-1614
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항복전압에 대한 3차원 효과를 고려한 전력 MOSFET의 최적 die설계
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1995 pp.1152-1155
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향상된 Latch-up 특성을 갖는 트렌치 게이트 SOI LIGBT
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a32 No.1 1995 pp.103-110
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Non-reachthrough 평면 접합의 항복전압에 대한 3 차원 효과의 해석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a32 No.1 1995 pp.111-118
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경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1995 pp.367-369
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a32 No.10 1995 pp.25-34
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.1 1994 pp.71-76
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SOI PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 관한 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.12 1994 pp.100-105
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원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1994 pp.1448-1450
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전류 제한 능력을 갖는 전력용 MOSFET의 Mixed-Mode 시뮬레이션
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1994 pp.1451-1453
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Field Limiting Ring 구조의 해석적 모델
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A Vol.a31 No.7 1994 pp.95-101
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SOI 수평형 접합의 항복 전압 향상을 인한 Negative Curvature(NC) 효과
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1993 pp.243-245
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분석적 모델을 이용한 Floated Field Plate구조가 있는 소자의 시뮬레이션 개선
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1993 pp.1283-1285
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Back-bias 효과에 의한 SOI소자의 항복전압 특성.
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1993 pp.178-180
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Package 의 열저항을 고려한 전력용 MOSFET의 최소 DIE 면적 설계
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1993 pp.1286-1288
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Selective N+ 버퍼층을 갖는 latch up 억제를 위한 새로운 IGBT 구조
[Kisti 연계] 대한전기학회 대한전기학회 학술대회논문집 1993 pp.240-242
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