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Trench Shield 구조를 갖는 3.3kV급 저저항 4H-SiC DMOSFET

차규현, 김광수

[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.24 No.2 2020 pp.619-625

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협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.

체납처분면탈죄의 성립과 납세의무 확정 요부

차규현

[NRF 연계] 서울시립대학교 법학연구소 조세와 법 Vol.8 No.2 2015.12 pp.227-260

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조세법상 민법 소멸시효의 준용 범위

차규현

[NRF 연계] 서울시립대학교 법학연구소 조세와 법 Vol.9 No.1 2016.06 pp.47-95

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