Nano-Scale CMOSFET에서 Contact Etch Stop Layer의 Mechanical Film Stress에 대한 소자특성 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.45 No.4 2008 pp.57-63
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Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.7 2007 pp.569-574
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Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.43 No.3 2006 pp.1-8
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고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.42 No.5 2005 pp.47-54
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Nano-scale CMOS에 적용하기 위한 Ni-Ta 합금을 이용한 Ni-Germanosilicide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2005 pp.607-610
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Nano-scale CMOS에 적용하기 위한 Ni-Germanosilicide에서 Ni-Pd 합금을 이용한 Ni-Germanosilicide의 열안정성 향상
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2005 pp.31-32
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Nitrogen 도핑된 Nickel Germanosilicide의 열안정성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2004 pp.513-516
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Capacitance - Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.41 No.7 2004 pp.1-6
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Nano-scale CMOS를 위한 Ni-germano Silicide의 열 안정성 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.17 No.11 2004 pp.1149-1155
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2004 pp.391-394
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니켈 sandwich구조에 의한 니켈실리사이드의 열안정성의 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2004 pp.45-48
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Nano CMOS소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.40 No.11 2003 pp.1-8
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CMOS 소자를 위한 NiSi의 Surface Damage 의존성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.16 No.4 2003 pp.280-285
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Nano-CMOS에서 NiSi의 Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.667-670
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Extracting the Effective Channel Length of MOSFET by Capacitance - Voltage Method.
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.679-682
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Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germane-silicide의 열 안정성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.1069-1072
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N-type 기판에서 PAI에 의한 Nickel-Silicide의 열안정성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.675-678
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Cobalt Interlayer 와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.40 No.12 2003 pp.1-9
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SOC를 위한 Digital CMOS 소자의 Analog Performance 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.1003-1006
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Co-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성 연구
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.671-674
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