스위칭 손실을 줄인 1700 V 4H-SiC Double Trench MOSFET 구조
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.1 2021 pp.15-24
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
4H-SiC UMOSFET의 gate dielectric 물질에 따른 온도 신뢰성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.1 2021 pp.1-9
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