Nano-Scale CMOSFET에서 Contact Etch Stop Layer의 Mechanical Film Stress에 대한 소자특성 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.45 No.4 2008 pp.57-63
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Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.20 No.7 2007 pp.569-574
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Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.43 No.3 2006 pp.1-8
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고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.42 No.5 2005 pp.47-54
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Capacitance - Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출
[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 Vol.41 No.7 2004 pp.1-6
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Nano-CMOS에서 NiSi의 Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.667-670
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Extracting the Effective Channel Length of MOSFET by Capacitance - Voltage Method.
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.679-682
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SOC를 위한 Digital CMOS 소자의 Analog Performance 개선
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.1003-1006
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고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2003 pp.1225-1228
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CMOS소자를 위한 Ni Silicide의 Dopant에 따른 영향분석
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.241-244
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100nm 이하 CMOS 소자의 Source/Drain dopant 종류에 따른 Nickel silicide의 특성분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.198-201
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100nm 이하의 CMOS소자를 위한 Ni Silicide Technology
[Kisti 연계] 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회논문집 2002 pp.237-240
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CMOS 소자를 위한 NiSi의 surface damage 의존성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.167-170
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