[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.24 No.4 2011 pp.5-16
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[Kisti 연계] 대한전자공학회 電子工學會誌 Vol.37 No.8 2010 pp.18-30
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.23 No.1 2010 pp.10-21
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[Kisti 연계] 한국정보디스플레이학회 인포메이션 디스플레이 Vol.10 No.2 2009 pp.2-13
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고내압 MOSFET의 고온 영역에서의 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.11 No.3 2007 pp.95-99
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Latch-up을 방지한 고속 입출력 인터페이스용 새로운 구조의 NPLVTSCR ESD 보호회로
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.11 No.1 2007 pp.54-60
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고성능 Smart Power 소자 설계 및 전기적 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.7 No.1 2003 pp.1-8
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개선된 트리거 전압 및 홀딩 전압을 갖는 SCR 기반 ESD 보호소자에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.29 No.3 2025 pp.313-318
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저전압급 ESD 보호를 위한 LRSCR 기반 Self-bias SCR에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.28 No.2 2024 pp.239-242
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낮은 트리거 전압과 높은 홀딩 전압을 가진 SCR 기반의 ESD 보호회로에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.28 No.4 2024 pp.662-666
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Aluminium Gate를 적용한 4H-SiC MOSFET의 Design parameter에 따른 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.27 No.4 2023 pp.630-635
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LDO 레귤레이터의 파괴방지 및 효율성을 위한 ESD 보호회로 설계에 대한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.27 No.3 2023 pp.258-264
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Self-Biasing 효과로 높은 홀딩 전압을 갖는 SCR 기반 양방향 ESD 보호 소자에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.26 No.1 2022 pp.119-123
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저전압급 ESD 보호를 위한 NPN BJT 내장형 SCR 설계에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.26 No.3 2022 pp.520-523
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향상된 전기적 특성을 지닌 LVTSCR 기반의 N-Stack ESD 보호소자에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.1 2021 pp.168-173
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높은 홀딩 전압으로 인한 래치업 면역을 갖는 양방향 구조의 ESD 보호회로에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.2 2021 pp.376-380
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Current Detection 구조 및 향상된 Load Regulation 특성을 가진 LDO 레귤레이터
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.3 2021 pp.506-510
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전류 구동 능력 향상을 위한 듀얼 이미터 구조의 4H-SiC 기반 LIGBT에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.2 2021 pp.371-375
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Parallel NPN BJT로 인한 높은 홀딩 전압을 갖는 SCR 기반 양방향 ESD 보호 소자에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.25 No.4 2021 pp.735-740
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높은 Holding Voltage 및 All-Direction 특성을 갖는 SCR 기반의 ESD 보호회로에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자학회 Journal of IKEEE Vol.24 No.4 2020 pp.1156-1161
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