[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.5 2009 pp.390-396
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새로운 가이드 튜브를 통한 6H-SiC 단결정의 직경 확장에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.9 2008 pp.795-800
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SiC(Silicon Carbide) 단결정 성장 방법 및 응용분야
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료 Vol.20 No.5 2007 pp.21-29
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SiC single crystal grown on a seed with an inserted epitaxial layer for the power device application
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 p.232
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도가니 구조 변경을 통한 6H-SiC 단결정의 직경 확장에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.7 2006 pp.673-679
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Electric Property Analysis of SiC Semiconductor Wafer for Power Device Application
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2006 p.207
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